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（信息來源：愛集微）

集微網(wǎng)消息，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，IGBT在工業(yè)、車用領(lǐng)域供貨仍吃緊，且主流IDM廠一路看好其長期需求；只是這波缺貨，沒有吸引太多6英寸、8英寸晶圓廠投入IGBT擴(kuò)產(chǎn)行列。

消息人士稱，大部分晶圓廠已完全折舊，6英寸、8英寸晶圓廠的IGBT產(chǎn)品在生產(chǎn)上具有成本效益。消息人士還補(bǔ)充稱，氮化鎵和碳化硅等復(fù)合半導(dǎo)體的市場火熱，已經(jīng)改變了晶圓廠的路線。復(fù)合半導(dǎo)體不僅在汽車應(yīng)用領(lǐng)域，而且在5G、AIoT和新能源方面也顯示出了巨大的潛力。

6英寸、8英寸的晶圓廠切實進(jìn)行著復(fù)合半導(dǎo)體業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型。例如，富士康目前的電動汽車業(yè)務(wù)主要布局分為三塊：車用“安卓”、第三代半導(dǎo)體及代工。中國臺灣的茂矽也計劃轉(zhuǎn)向化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)。

消息人士稱，IGBT的短缺預(yù)計將持續(xù)到2024年，但其市場已經(jīng)受到氮化鎵和碳化硅的擠壓。消息人士補(bǔ)充說，由于成本競爭力，他們?nèi)栽趯で笸顿Y。該消息人士稱，盡管很少有6英寸、8英寸的晶圓廠在擴(kuò)大IGBT的產(chǎn)能，但一些12英寸晶圓廠正開始生產(chǎn)IGBT。

消息人士稱，技術(shù)難題是阻礙6英寸、8英寸晶圓廠進(jìn)入IGBT生產(chǎn)的另一個原因。盡管IGBT的生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)成熟，但該行業(yè)一直由英飛凌、安森美、東芝和三菱等大公司主導(dǎo)，這幾乎不是一個新來者可以進(jìn)入的行業(yè)。該消息人士稱，由于材料和制造工藝的成本較高，12英寸晶圓廠生產(chǎn)IGBT將面臨更大的挑戰(zhàn)。

但該消息人士稱，英飛凌和安森美收購的12英寸晶圓廠已在IGBT生產(chǎn)方面取得進(jìn)展。DENSO和聯(lián)電的日本子公司日本聯(lián)華半導(dǎo)體（USJC）剛剛宣布已經(jīng)進(jìn)入12英寸工廠的大規(guī)模生產(chǎn)。

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